Física III ⇒ Modelo de Drude e dopagem de material exercício

[Deleted User 26831]

Estou estudando, e me deparei com esse exercício

1)um material, com concentração de elétrons de 3 x 10^22 cm-3, o tempo
médio entre espalhamentos é de 1 ps. Se uma barra de 2 cm de comprimento e 2,5 mm2
de seção transversal, o material é submetida a uma tensão de 1 V, qual a
potência dissipada na barra, considerando o modelo de Drude?

2) Uma barra semicondutora é dopada uniformemente com impurezas doadoras a uma concentração de 10^15 cm-3, até dada posição x0. Para x>x0, a barra é também dopada uniformemente com o mesmo tipo de impurezas, mas com uma concentração de 10^17 cm-3. Considerando a barra em equilíbrio térmico a 300 K, sem tensão aplicada.
a) Qual a direção do campo elétrico interno gerado?
b) Qual a diferença de potencial gerada entre dois pontos distantes de x0, sendo um menor que x0 e outro maior? Considere todas as impurezas ionizadas, que a concentração de portadores minoritários é desprezível e que a distribuição de Boltzmann pode ser usada. Indique a linha de raciocínio.

alguém sabe resolve-los ?